華夏經(jīng)緯網(wǎng)5月31日訊:據(jù)臺(tái)灣“中時(shí)新聞網(wǎng)”報(bào)道,臺(tái)積電與三星在晶圓代工領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)激烈,韓媒指出,超威(AMD)執(zhí)行長(zhǎng)蘇姿豐暗示將在下一代產(chǎn)品采用三星3納米制程技術(shù),將幫助三星縮小和臺(tái)積電之間的差距。
韓國(guó)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》(BusinessKorea)報(bào)導(dǎo),蘇姿豐日前在比利時(shí)舉辦的imec ITF World 2024會(huì)議上暗示,公司計(jì)劃使用3納米閘極全環(huán)繞(GAA)技術(shù),直指GAA相較于傳統(tǒng)鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)技術(shù),能提高數(shù)據(jù)處理的速度與能源效率。
一名韓國(guó)業(yè)界主管表示,蘇姿豐的言論形同正式確立超威與三星在3納米代工服務(wù)的合作。
消息指出,臺(tái)積電3納米制程產(chǎn)能目前都被蘋果、高通等客戶預(yù)訂,超威想拉近與三星的關(guān)系,將有助三星在晶圓代工市場(chǎng)縮小與臺(tái)積電的差距。
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