參考消息網(wǎng)12月25日據(jù)臺灣“中央社”報道，臺積電發(fā)出活動通知，預(yù)計12月29日在臺南科學(xué)園區(qū)的芯片18廠新建工程基地，舉行3納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，屆時將有上梁儀式。
報道稱，相較于5納米，臺積電3納米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。據(jù)預(yù)期，蘋果及英特爾等客戶都將采用臺積電3納米制程。
據(jù)悉，臺積電的南科芯片18廠是5納米及3納米的生產(chǎn)基地，其中，芯片18廠5期至9期廠房是3納米生產(chǎn)基地。
報道稱，相較于對手三星于今年6月30日搶先宣布3納米全環(huán)繞柵極(GAA)技術(shù)量產(chǎn)，并于7月25日在韓國京畿道華城廠區(qū)內(nèi)舉行盛大的3納米GAA芯片產(chǎn)品出廠紀(jì)念活動，臺積電3納米量產(chǎn)時間晚了近半年。
臺積電美國亞利桑那州廠第一期工程，預(yù)計2024年量產(chǎn)4納米;第二期工程開始興建，預(yù)計2026年生產(chǎn)3納米制程，兩期工程總投資金額約400億美元，兩期工程完工后合計將年產(chǎn)超過60萬片芯片。
面對臺積電擴(kuò)大美國投資，派工程師赴美支援，引發(fā)“去臺化”、“掏空臺灣”疑慮。報道形容，臺積電南科3納米量產(chǎn)是“罕見以實際行動宣示持續(xù)深耕臺灣的決心，化解外界疑慮”。(來源：參考消息網(wǎng))
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